Miércoles 21 de octubre de 2026 ·

Navitas presenta módulos SiC de ultra alta tensión de 2300 V para red eléctrica y centros de datos de IA

Relevancia 45 de 100 Estados Unidos, California

Navitas Semiconductor ha presentado la familia de módulos SiC G4H08MT23GB4 de 2300 V, en formato SiCPAK y con una RDS(on) de 8 mΩ que la empresa califica como la mejor de su clase. Están pensados para transformadores de estado sólido, almacenamiento de baterías a escala de red, inversores solares y carga megavatio de vehículos eléctricos, y usan su arquitectura GeneSiC TAP de cuarta generación. Navitas los sitúa también como bloque para centros de datos de IA, donde los transformadores de estado sólido convierten la corriente de red en la alta tensión continua que usan los racks.

Qué significa

Los transformadores de estado sólido podrían convertir la corriente de red directamente en la alta tensión continua que necesitan los centros de datos de IA, con más eficiencia y densidad de potencia que las soluciones actuales.

Fuentes originales

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