Jueves 22 de octubre de 2026 ·

Micron anuncia NAND G11 de más de 400 capas, con producción prevista para la segunda mitad de 2027

Relevancia 37 de 100 Estados Unidos, Idaho

Micron presentó la memoria flash NAND de nueva generación G11, con más de 400 capas y producción planificada para la segunda mitad de 2027. Según la compañía, su densidad por área será unas dos veces la de la G9 de 276 capas, la velocidad de E/S subirá hasta 1,5 veces y el consumo en transferencia de datos bajará más de un 25%. También anunció dos tipos de NAND para centros de datos de IA: uno de alto IOPS con SLC conectado directamente a las GPU, y otro de alto ancho de banda similar a HBF.

Qué significa

Los centros de datos que ejecutan IA dispondrán de almacenamiento más denso y eficiente, lo que facilita manejar grandes volúmenes de datos. Micron podría saltarse la generación G10 según sus planes.

Fuentes originales

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