Domingo 25 de octubre de 2026 ·

Enphase Energy e Infineon anuncian los primeros dispositivos GaN bidireccionales de 900 V para transformadores de estado sólido en centros de datos de IA

Relevancia 49 de 100 Estados Unidos, California

Enphase Energy e Infineon Technologies anuncian que Enphase usará dispositivos de nitruro de galio (GaN) de 900 V, según afirman los primeros del mundo en esta tensión. Se integrarán en módulos de potencia de transformadores de estado sólido, con alta frecuencia de conmutación y menos interferencias electromagnéticas. Los nuevos componentes amplían la tecnología de 650 V ya en producción y se orientan a sistemas de media tensión.

Qué significa

Para los centros de datos de IA, abre una vía a transformadores más compactos, eficientes y con menos puntos de fallo. Para el sector de semiconductores de potencia, el GaN empieza a competir con el carburo de silicio en tensiones más altas.

Fuentes originales

Resumen de Hoy en IA. Pulsa una fuente para leer la noticia completa en su idioma original.

También ese día

Todas las noticias de IA del domingo 25 de octubre de 2026 ->