Micron usará unión de obleas y EUV High-NA para su DRAM de nueva generación
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Tras descartar las celdas 4F² de su hoja de ruta, Micron introducirá la unión de obleas (wafer bonding) en su proceso DRAM 1ε y adoptará la litografía EUV High-NA en las generaciones siguientes. La compañía desarrolla además la memoria vertical de alto ancho de banda (vHBM) y la memoria vertical de inferencia en el borde (vEIM), que se integrarían directamente sobre los procesadores. Sus rivales planean usar transistores más pequeños hacia finales de la década.
Qué significa
Los fabricantes de chips para IA podrían disponer de memoria integrada más cerca de los procesadores, pensada para la inferencia y el entrenamiento, en lugar de depender solo del escalado tradicional de la DRAM.
Fuentes originales
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