Micron prepara memoria vertical y unión de obleas para la IA, sin fechas comerciales
Micron presentó una hoja de ruta de memoria que incluye unión de obleas en su proceso DRAM 1ε y evalúa la litografía EUV High-NA para generaciones posteriores. La empresa desarrolla vHBM y vEIM, memorias que se colocarían directamente sobre los procesadores. La primera vEIM apunta a 2 TB/s y menos de 1 pJ por bit, pero Micron no ha anunciado fechas comerciales para estas memorias.
Qué significa
Si estos diseños llegan al mercado, los aceleradores de IA podrían tener memoria mucho más cerca del procesador y con más ancho de banda. Por ahora son proyectos en desarrollo, sin fecha de llegada para clientes.
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