Infineon invertirá 1.100 millones de euros en una fábrica europea de GaN de 300 mm en Villach
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Infineon invertirá unos 1.100 millones de euros hasta 2034 en Villach (Austria) para crear, según la compañía, la primera planta de producción en gran volumen de semiconductores de nitruro de galio (GaN) sobre obleas de 300 mm. La producción arrancará antes de que acabe 2027 y aprovechará las salas limpias que ya tiene en el emplazamiento. El objetivo es atender la demanda de conversión de energía más eficiente en centros de datos de IA, entre otros sectores. La Comisión Europea ha aprobado 319 millones de euros en ayudas de Estado, y el compromiso formal de financiación del Gobierno austriaco está pendiente.
Qué significa
Europa busca tener capacidad propia en un componente de potencia clave para la infraestructura de IA, lo que refuerza la soberanía tecnológica que defiende la compañía. Para los centros de datos de IA, el GaN podría ofrecer convertidores más compactos y eficientes en un contexto de racks que se acercan a la escala megavatio.
Fuentes originales
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- Compound SemiconductorLeer la noticia completa en Compound Semiconductor
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