Jueves 29 de octubre de 2026 ·
Changsha presenta el primer sustrato chino de carburo de silicio policristalino de 12 pulgadas para chips de IA
La empresa Hunan Taitan Future Technology presenta en Changsha un sustrato de carburo de silicio policristalino de 12 pulgadas, orientado a la disipación de calor en chips de IA y en el encapsulado avanzado. Según la compañía, deposita 60 micras por hora frente a 10-20 de sus rivales, con conductividad térmica de al menos 300 W/(m·K) y menos de 0,1 defectos por cm². Ha superado pruebas de certificación de TSMC, ha enviado muestras a Samsung y colabora con Google y Nvidia, con producción en pequeños lotes prevista a partir de 2027. Afirma además un ahorro de costes cercano al 20% frente a la tecnología actual.
Qué significa
Si llega a producirse a escala, ofrecería a los fabricantes de chips de IA un material alternativo al nitruro de aluminio o al cobre para evacuar calor. Las cifras son las que la empresa declara y aún no están validadas por terceros.
Fuentes originales
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