Domingo 18 de octubre de 2026 · 15:15

Samsung usará el proceso de 3 nm de TSMC para la base die de la HBM de Nvidia

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Según el medio surcoreano Seoul Economic Daily, Samsung fabricará con el proceso de 3 nm de TSMC la base die de la próxima memoria HBM personalizada de Nvidia, lo que sería su primera colaboración con TSMC en la fabricación de HBM. Nvidia habría pedido a Samsung, SK Hynix y Micron usar el proceso de TSMC para la base die y DRAM de sexta generación para la core die. Samsung aceptó tras revisión interna, pero seguirá produciendo su HBM estándar y productos a medida con su propio modelo, y evalúa usar su fundición si la capacidad de TSMC no alcanza.

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