Domingo 18 de octubre de 2026 ·
Samsung fabricará con el proceso de 3 nm de TSMC la base die de la próxima HBM de Nvidia
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Según Seoul Economic Daily, citado por IT之家, Samsung usará el proceso de 3 nm de TSMC para producir la base die de la próxima HBM personalizada de Nvidia, componente que hasta ahora fabricaba la propia Samsung. Nvidia ha pedido a Samsung, SK hynix y Micron usar 3 nm de TSMC para la base die y el DRAM de sexta generación (1c) para la core die, en la variante NVHBM basada en HBM4E. Samsung mantendrá su producción integrada para la HBM estándar y para clientes como AMD, y evalúa fabricar también NVHBM en sus propias líneas como plan de respaldo ante los límites de capacidad de TSMC.
Qué significa
La producción de la base die de la próxima HBM de Nvidia pasará a depender de la capacidad de TSMC, por lo que ese fabricante condicionará el suministro de esa memoria.
Fuentes originales
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