Domingo 18 de octubre de 2026 ·

Samsung fabricará con TSMC de 3 nm la base die de la HBM de próxima generación de Nvidia

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Según un informe de Seoul Economic Daily citado por medios chinos, Nvidia pidió a Samsung, SK Hynix y Micron usar la base die de 3 nm de TSMC y DRAM de sexta generación (1c) para sus HBM, para reducir variaciones de rendimiento y la carga de validación. Samsung aceptaría esta exigencia solo para la HBM4E personalizada de Nvidia, y mantendría la producción completa para otros productos. Samsung también valida en sus propias líneas una fabricación de respaldo ante posibles faltas de capacidad de TSMC.

Qué significa

Para quien sigue la cadena de suministro de chips de IA, la base die de la HBM4E personalizada de Nvidia dependería de TSMC, mientras Samsung conserva una línea propia como alternativa.

Fuentes originales

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