Samsung usaría el proceso de TSMC para las HBM personalizadas de Nvidia
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Según Seoul Economic Daily, Samsung planea fabricar con el proceso de 3 nanómetros de TSMC las bases de la memoria HBM personalizada de Nvidia, llamada NVHBM. Nvidia pidió lo mismo a SK Hynix y Micron, con núcleos de DRAM de sexta generación. Sería la primera vez que Samsung trabaja con TSMC en la fase de fabricación de HBM. Samsung mantendría su propia fundición para la HBM convencional y evalúa producir también las bases de NVHBM si la capacidad de TSMC no basta.
Qué significa
TSMC ganaría presencia en la fabricación de HBM, y los fabricantes de memoria tendrían que seguir el diseño con controlador de Nvidia integrado en la base.
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