Martes 27 de octubre de 2026 ·
imec y Ghent University logran un enlace óptico de 320 Gbps a 2 km con moduladores de niobato de litio sobre silicio
Útil para
imec y Ghent University demuestran un enlace óptico en banda O de 320 Gbps sin amplificar a lo largo de 2 km de fibra monomodo, con moduladores Mach-Zehnder de niobato de litio transferidos por micro-transfer printing a una plataforma de fotónica de silicio. El equipo también integra por primera vez un modulador de tantalato de litio en un circuito fotónico de silicio. El informe sitúa estos avances como base para los transceptores de 3,2T y para la óptica co-empaquetada (CPO) que la IA necesitará a nivel de chip.
Qué significa
La demanda de ancho de banda de la IA está acercando la óptica al chip y al paquete, porque el cobre ya no escala en consumo ni en distancia. La integración de nuevos materiales electro-ópticos abre el camino a módulos de 3,2T para centros de datos, aunque su fabricación en volumen aún no está resuelta.
Cómo te afecta
- Fotónica
Si fabricas transceptores o módulos de corta distancia, el límite de milímetros del cobre señala dónde entrarían tus productos: enlaces dentro del servidor, no solo entre racks. Pregunta a tus clientes de clusters qué distancia y velocidad necesitan antes de decidir si tu óptica llega a ese punto.
Fuentes originales
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