Viernes 30 de octubre de 2026 ·

SK Hynix invierte más de 4.000 millones de dólares en Indiana para empaquetar memoria HBM

Relevancia 75 de 100 Estados Unidos, Indiana

Útil para Inversores 65%CEO y dirección 55%

SK Hynix construye en West Lafayette (Indiana) una planta de empaquetado avanzado de memoria HBM con una inversión superior a 4.000 millones de dólares, con hasta 458 millones de apoyo de la Ley CHIPS. Recibirá obleas de DRAM fabricadas en Corea del Sur y tendrá unos 1.000 empleados a plena capacidad. La sala limpia está prevista para octubre de 2028 y la producción en volumen de HBM4E para la segunda mitad de 2029. Por otra parte, la compañía estudia una planta de NAND en EE. UU. a través de Solidigm, sin decisión final de inversión, y vinculada a las autorizaciones para enviar equipos a su fábrica de Dalian (China). El consejero delegado, Kwak Noh-Jung, advierte de que la escasez de memoria podría prolongarse más allá de 2030.

Qué significa

La planta de Indiana aumenta la capacidad futura de empaquetado de HBM fuera de Corea del Sur, pero no llegará antes de finales de 2029, así que la escasez de memoria para los centros de datos de IA se mantendrá a medio plazo. La posible planta de NAND en EE. UU. queda condicionada a que Washington permita más exportaciones de equipos a China.

Fuentes originales

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