Sábado 17 de octubre de 2026 ·

Samsung fabricará en 3 nm de TSMC la base die de la NVHBM de Nvidia y rompe su modelo integrado

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Según Seoul Economic Daily, citando fuentes del sector, Samsung producirá en el proceso de 3 nm de TSMC la base die de la NVHBM, la HBM personalizada de Nvidia, en lugar de usar su propio proceso de 4 nm. Nvidia pidió a Samsung, SK hynix y Micron fabricar la base die en 3 nm de TSMC y estandarizar las capas de DRAM en 1c. Ni Nvidia ni los fabricantes han confirmado oficialmente las condiciones ni los contratos. Samsung mantiene su modelo integrado para la HBM estándar y prepara también una validación en su proceso de 2 nm como cobertura.

Qué significa

Samsung deja de fabricar en casa la lógica de la memoria HBM personalizada de Nvidia, y TSMC gana peso en la memoria de IA. Para Nvidia, unificar la base die facilita validar el mismo diseño con varios proveedores. Los fabricantes de HBM dependerán más de la capacidad de TSMC para este tipo de chips.

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